RQ3E180BNTB

Rohm Semiconductor

RQ3E180BNTB

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 15 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Tc)
最大消費電力2W (Ta), 20W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSMT (3.2x3)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)