RQ3E100ATTB

Rohm Semiconductor

RQ3E100ATTB

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 15 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 31A (Tc)
最大消費電力2W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSMT (3.2x3)

環境条件

動作温度150°C (TJ)