RH6L040BGTB1

Rohm Semiconductor

RH6L040BGTB1

データシート

アナログ・電源

NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 30 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
最大消費電力2W (Ta), 59W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSMT (3.2x3)

環境条件

動作温度150°C(TJ)