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RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8TM65DGC9

データシート

アナログ・電源

IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM

量産中TO-220-3 Full Packアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
入力タイプStandard
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス量産中
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max16 W

機械特性

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージTO-220NFM

環境条件

動作温度-40°C ~ 175°C (TJ)

類似コンポーネント

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要レビュー

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