RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGC9

データシート

アナログ・電源

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

量産中TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
入力タイプStandard
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージTO-262

環境条件

動作温度-40°C ~ 175°C (TJ)