RF4E110GNTR

Rohm Semiconductor

RF4E110GNTR

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

量産中8-PowerUDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds504 pF @ 15 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
最大消費電力2W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerUDFN
サプライヤーデバイスパッケージHUML2020L8

環境条件

動作温度150°C(TJ)