RD3L03BATTL1

Rohm Semiconductor

RD3L03BATTL1

データシート

アナログ・電源

PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 35A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1930 pF @ 30 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
最大消費電力56W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252

環境条件

動作温度150°C(TJ)