RCD100N20TL

Rohm Semiconductor

RCD100N20TL

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 10A CPT3

量産中TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs182mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.25V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大消費電力850mW (Ta), 20W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージCPT3

環境条件

動作温度150°C (TJ)