R6076MNZ1C9

Rohm Semiconductor

R6076MNZ1C9

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

旧品種TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス旧品種
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
最大消費電力740W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)