HP8ME5TB1

Rohm Semiconductor

HP8ME5TB1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
構成N and P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 50V, 590pF @ 50V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Power - Max3W (Ta), 20W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSOP

環境条件

動作温度150°C (TJ)