一般
| ベース品番 | BSM600 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 10 V |
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600A (Tc) |
| 最大消費電力 | 2460W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
環境条件
| 動作温度 | 175°C(TJ) |
|---|