BR25H080F-WCE2

Rohm Semiconductor

BR25H080F-WCE2

データシート

メモリ・ストレージ

IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8SOP

生産終了8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術EEPROM
ベース品番BR25H080
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズAutomotive, AEC-Q100
書き込みサイクル時間5ms

電気特性

メモリ容量8Kbit
メモリ形式EEPROM
Memory InterfaceSPI
クロック周波数5 MHz
電源電圧2.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP

環境条件

動作温度-40°C~125°C(TA)