BR25G256FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

BR25G256FJ-3GE2

データシート

メモリ・ストレージ

IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOPJ

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術EEPROM
ベース品番BR25G256
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
書き込みサイクル時間5ms

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式EEPROM
Memory InterfaceSPI
クロック周波数20 MHz
電源電圧1.6V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP-J

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)