BR24G02FVJ-3GTE2

Rohm Semiconductor

BR24G02FVJ-3GTE2

データシート

メモリ・ストレージ

IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP

生産終了8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術EEPROM
ベース品番BR24G02
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータスNot For New Designs
書き込みサイクル時間5ms

電気特性

メモリ容量2Kbit
メモリ形式EEPROM
Memory InterfaceI2C
クロック周波数400 kHz
電源電圧1.6V ~ 5.5V
Memory Organization256 x 8

機械特性

Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSSOP-BJ

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)