一般
| ベース品番 | 2SD1863 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tape & Box (TB) |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 3V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
機械特性
| Package / Case | 3-SIP |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | ATV |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|