NP28N10SDE-E1-AY

Renesas

NP28N10SDE-E1-AY

アナログ・電源

NP28N10SDE-E1-AY - MOS FIELD EFF

旧品種TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 25 V
メーカーRenesas
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
最大消費電力1.2W (Ta), 100W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252 (MP-3ZK)

環境条件

動作温度175°C