一般
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 30mA, 3A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 800 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 3.5W |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 10-SIP |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 10-SIP |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|