RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Renesas Electronics Corporation

RMLV0816BGSD-4S2#AA1

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II

量産中52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM
アクセス時間45 ns
ベース品番RMLV0816
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
梱包Tray
製品ステータス量産中
書き込みサイクル時間45ns

電気特性

メモリ容量8Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.4V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8, 512K x 16

機械特性

Package / Case52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ52-TSOP II

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)