取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52Ohm @ 50mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 25 V |
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| 最大消費電力 | 900mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92MOD |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
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