RJK03E0DNS-00#J5

Renesas Electronics Corporation

RJK03E0DNS-00#J5

アナログ・電源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

量産中8-PowerWDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 10 V
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)
最大消費電力20W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / Case8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HWSON (3.3x3.3)

環境条件

動作温度150°C (TJ)