R1EV5801MBSDRDI#B0

Renesas Electronics Corporation

R1EV5801MBSDRDI#B0

メモリ・ストレージ

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32SOP

旧品種32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術EEPROM
アクセス時間150 ns
ベース品番R1EV5801
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズR1EV5801MB
書き込みサイクル時間10ms

電気特性

メモリ容量1Mbit
メモリ形式EEPROM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ32-SOP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)