NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP33N06YDG-E1-AY

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

量産中8-SMD, Flat Lead Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 16.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 25 V
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
最大消費電力1W (Ta), 97W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSON

環境条件

動作温度175°C (TJ)