M3008316035NX0PBCY

Renesas Electronics Corporation

M3008316035NX0PBCY

データシート

メモリ・ストレージ

M3008316 8MB PARALLEL ASYNCHRONO

生産終了484-BGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術MRAM (Magnetoresistive RAM)
アクセス時間35 ns
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
書き込みサイクル時間35ns

電気特性

メモリ容量8Mbit
メモリ形式RAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case484-BGA
サプライヤーデバイスパッケージ484-CABGA (23x23)

環境条件

動作温度-40°C ~ 105°C