IDT71V416VS10Y

Renesas Electronics Corporation

IDT71V416VS10Y

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

旧品種44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番IDT71V416
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
梱包Tube
製品ステータス旧品種
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 16

機械特性

Package / Case44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ44-SOJ

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)