AT25QL641-MHE-T

Renesas Electronics Corporation

AT25QL641-MHE-T

データシート

メモリ・ストレージ

64 MBIT, 1.8V (1.7V TO 2V), -40C

量産中8-UDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間6 ns
ベース品番AT25QL641
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間150µs, 5ms

電気特性

メモリ容量64Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.7V ~ 2V
Memory Organization8M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-UDFN (5x6)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)