AT25PE80-SSHN-B

Renesas Electronics Corporation

AT25PE80-SSHN-B

データシート

メモリ・ストレージ

8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間6 ns
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間8µs, 4ms

電気特性

メモリ容量8Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

機械特性

パッケージTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TC)