71V65603S100BQ

Renesas Electronics Corporation

71V65603S100BQ

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
アクセス時間5 ns
ベース品番71V65603
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数100 MHz
電源電圧3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-CABGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)