70V657S12DR

Renesas Electronics Corporation

70V657S12DR

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

旧品種208-BFQFPメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
アクセス時間12 ns
ベース品番70V657
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間12ns

電気特性

メモリ容量1.125Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3.15V ~ 3.45V
Memory Organization32K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case208-BFQFP
サプライヤーデバイスパッケージ208-PQFP (28x28)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)