70T659S10BC8

Renesas Electronics Corporation

70T659S10BC8

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

量産中256-LBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番70T659
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量4.5Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.4V ~ 2.6V
Memory Organization128K x 36

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case256-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ256-CABGA (17x17)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)