70T651S12BFGI

Renesas Electronics Corporation

70T651S12BFGI

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

量産中208-LFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
アクセス時間12 ns
ベース品番70T651
メーカーRenesas Electronics Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間12ns

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.4V ~ 2.6V
Memory Organization256K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case208-LFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ208-CABGA (15x15)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)