一般
| FET Type | P-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 160 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| 最大消費電力 | 100W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|