一般
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 280MHz |
機械特性
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|