RJK2009DPM-00#T0

Renesas Electronics America Inc

RJK2009DPM-00#T0

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

量産中TO-220-3 Full Packアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 25 V
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
最大消費電力60W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージTO-3PFM