NP83P06PDG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP83P06PDG-E1-AY

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 60V 83A TO263

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 41.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10100 pF @ 10 V
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C83A (Tc)
最大消費電力1.8W (Ta), 150W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263

環境条件

動作温度175°C(TJ)