NP16N06YLL-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP16N06YLL-E1-AY

データシート

アナログ・電源

ABU / MOSFET

量産中8-PowerLDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大消費電力1.25W (Ta), 27.3W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSON (5x5.4)

環境条件

動作温度175°C