N0412N-S19-AY

Renesas Electronics America Inc

N0412N-S19-AY

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5550 pF @ 25 V
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
最大消費電力1.5W (Ta), 119W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220

環境条件

動作温度150°C(TJ)