IDT71P72804S250BQG

Renesas Electronics America Inc

IDT71P72804S250BQG

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

旧品種165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, QDR II
アクセス時間6.3 ns
ベース品番IDT71P72
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数250 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1M x 18

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-CABGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)