IDT70P3517S250RM

Renesas Electronics America Inc

IDT70P3517S250RM

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT PAR 576FCBGA

旧品種576-BBGA, FCBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
アクセス時間6.3 ns
ベース品番IDT70P3517
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数250 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization256K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case576-BBGA, FCBGA
サプライヤーデバイスパッケージ576-FCBGA (25x25)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)