71V67903S75BQ

Renesas Electronics America Inc

71V67903S75BQ

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間7.5 ns
ベース品番71V67903
メーカーRenesas Electronics America Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数117 MHz
電源電圧3.135V ~ 3.465V
Memory Organization512K x 18

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-CABGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)