HYB25D512800CE-6

Qimonda

HYB25D512800CE-6

メモリ・ストレージ

IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

生産終了66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR
ベース品番HYB25D512
メーカーQimonda
実装タイプSurface Mount
Product StatusDiscontinued at

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数166 MHz
電源電圧2.3V ~ 2.7V
Memory Organization64M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ66-TSOP II

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)