一般
| Driven Configuration | Half-Bridge |
|---|---|
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| メーカー | Power Integrations |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 160ns, 130ns |
| シリーズ | SCALE™-1 |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Driven Configuration | Half-Bridge |
|---|---|
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| メーカー | Power Integrations |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 160ns, 130ns |
| シリーズ | SCALE™-1 |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 18A, 18A |
|---|
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 44-DIP Module, 42 Leads |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
| 動作温度 | -40°C~85°C |
|---|