一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4.5A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| メーカー | PN Junction Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| シリーズ | P3M |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A |
| 最大消費電力 | 35W |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-2L |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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