一般
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| メーカー | PN Junction Semiconductor |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| 最大消費電力 | 55.5W |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | DFN8*8 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|