PJD4NA65_R2_00001

Panjit International Inc

PJD4NA65_R2_00001

アナログ・電源

650V N-CHANNEL MOSFET

量産中TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds463 pF @ 25 V
メーカーPanjit International Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)

機械特性

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252AA

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)