一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 20 V |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| 最大消費電力 | 1W (Ta), 15W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | IPAK/TP |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|