一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | QVE000 |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 8µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.095" (2.41mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | Module, Pre-Wired |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C |
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