一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | QVE000 |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 7µs |
| Sensing Distance | 0.079" (2mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 100°C |
|---|