一般
| 出力タイプ | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | QRE111 |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Sensing Distance | 0.039" (1mm) |
| Sensing Method | Reflective |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
環境条件
| 動作温度 | -40°C~85°C |
|---|