一般
| 出力タイプ | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | QRD111 |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 10µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.050" (1.27mm) |
| Sensing Method | Reflective |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| 出力タイプ | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | QRD111 |
| メーカー | onsemi |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 10µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.050" (1.27mm) |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Radial - 4 Leads |
| 動作温度 | -40°C~85°C |
|---|