NVMFD6H852NLT1G

onsemi

NVMFD6H852NLT1G

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V
ベース品番NVMFD6
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds521 pF @ 40 V
メーカーonsemi
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 26µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 25A (Tc)
最大消費電力3.2W (Ta), 38W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)